Packaging： Tube

Package / Case： TO-247-4

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： SiCFET (Silicon Carbide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 56A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 40mOhm @ 25A, 18V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 227W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5.7V @ 10mA

Supplier Device Package： PG-TO247-4-1

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 15V, 18V

Vgs (Max)： +23V, -7V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 63 nC @ 18 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2120 pF @ 800 V