IRFH8330TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFH8330TRPBF 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.712 +10：￥5.808 +30：￥4.84	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥3.507654 +10：￥2.906654 +30：￥2.60069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.19494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8330TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.854715 +10：￥7.742505 +100：￥6.592351 +1000：￥5.708695 +2500：￥5.217775	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH8330TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1450 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），35W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）