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	IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.0672 +10：￥8.55712 +50：￥7.04704 +100：￥6.292 +500：￥5.78864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥6.436162 +10：￥5.299726 +50：￥4.327199 +100：￥3.769908 +500：￥3.431163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥6.646356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.392405 +10：￥5.593296 +30：￥4.594498 +100：￥4.274878 +300：￥4.115125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.555399 +2000：￥6.446119 +3000：￥6.336839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740BPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF740BPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+1000：￥2.263157 +3000：￥2.223798 +5000：￥2.164759 +6000：￥2.027002 +7000：￥2.027002	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.047414 +50：￥7.280954 +100：￥5.7701 +500：￥4.891045 +1000：￥3.984279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.132371 +50：￥17.811143 +100：￥14.115192 +500：￥11.96479 +1000：￥9.746602	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF740BPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	526 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	147W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥6.646356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.392405 +10：￥5.593296 +30：￥4.594498 +100：￥4.274878 +300：￥4.115125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740BPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.555399 +2000：￥6.446119 +3000：￥6.336839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 526 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740BPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF740BPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+1000：￥2.263157 +3000：￥2.223798 +5000：￥2.164759 +6000：￥2.027002 +7000：￥2.027002	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数