IPA95R1K2P7XKSA1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.413069 +200：￥5.758671 +500：￥5.56198 +1000：￥5.463635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.2067 +10：￥10.969385 +100：￥8.818231 +500：￥7.245121 +1000：￥6.037601	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.860822 +10：￥26.834021 +100：￥21.571729 +500：￥17.723485 +1000：￥14.76957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 6A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥33.504012 +50：￥16.314465 +100：￥14.634675 +500：￥11.687241 +1000：￥10.73949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 2.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 140µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 478 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 6A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥35.155734 +10：￥17.743696 +100：￥15.869831 +250：￥15.422091 +500：￥12.652748	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 478 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA95R1K2P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥11.386647 +1000：￥10.121163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA95R1K2P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	478 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	27W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）