IXFK230N20T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK230N20T Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥346.962677 +200：￥138.437584 +500：￥133.815348 +1000：￥131.531549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK230N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥148.519172 +25：￥123.145881 +100：￥115.448825 +500：￥98.516588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 378 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1670W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK230N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥363.317248 +25：￥301.247455 +100：￥282.418418 +500：￥240.997679	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 378 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1670W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK230N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA 下载数据手册未分类	+1：￥415.16097 +10：￥368.92305 +25：￥344.251934 +50：￥333.468532	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 378 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1670W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK230N20T 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-264 下载数据手册未分类	+25：￥222.130036 +50：￥220.119809 +100：￥197.630399 +250：￥196.625286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK230N20T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	378 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	28000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1670W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264AA（IXFK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-