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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌
+1:

¥317.043812

+210:

¥126.505005

+510:

¥122.276151

+990:

¥120.189043

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXFX230N20T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥147.028601

+30:

¥100.447677

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1670W(Tc)

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -

Digi-Key
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IXFX230N20T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥359.670917

+30:

¥245.721633

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1670W(Tc)

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -

Mouser
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IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3

未分类

+1:

¥389.532162

+10:

¥378.255796

+30:

¥266.321266

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1670W(Tc)

工作温度: -

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -

艾睿
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IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

未分类

+300:

¥211.546943

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌
+30:

¥160.89456

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 230A, +247

未分类

+1:

¥227.446724

+5:

¥208.586676

+10:

¥189.713688

+50:

¥189.623075

+100:

¥177.753027

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌
+30:

¥182.265658

+60:

¥180.357116

+120:

¥177.494307

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXFX230N20T_未分类
IXFX230N20T
授权代理品牌

MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247

未分类

+1:

¥251.090955

+5:

¥230.274152

+10:

¥209.44483

+50:

¥209.34469

+100:

¥196.238741

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFX230N20T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Trench
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1670W(Tc)
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -