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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN73N30 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥357.15782 +200：￥142.513455 +500：￥137.749166 +1000：￥135.399803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN73N30 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥96.412088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 73A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 360 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN73N30 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥235.849512	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 73A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 360 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN73N30 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B 下载数据手册	+1：￥544.775739 +10：￥508.165935 +30：￥486.85575 +100：￥441.2301	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 73A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 360 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN73N30 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 73A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+1：￥741.993882 +100：￥160.795046 +250：￥146.636368 +500：￥137.131243 +1000：￥125.843906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN73N30参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	73A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	360 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）