搜索 IGOT60R070D1AUMA1 共 5 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | +1： ￥232.900316 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +800： ￥213.058037 | ||||
| 授权代理品牌 | +1： ￥321.319889 +10： ￥296.285839 +25： ￥282.965514 +100： ￥249.677454 +250： ￥233.032291 | 系列： CoolGaN™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 20-PowerSOIC (0.433#, 11.00mm Width) 供应商器件封装： PG-DSO-20-87 | |||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： CoolGaN™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 20-PowerSOIC (0.433#, 11.00mm Width) 供应商器件封装： PG-DSO-20-87 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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IGOT60R070D1AUMA1 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
IGOT60R070D1AUMA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolGaN™ |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1,6V 2,6mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 380 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-DSO-20-87 |
| 封装/外壳: | 20-PowerSOIC（0.433，11.00mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |