IPP039N04LGXKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP039N04LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.68806	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP039N04LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.227334 +10：￥10.947397 +100：￥8.537684 +500：￥7.05267 +1000：￥6.186603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP039N04LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.128794 +10：￥18.917066 +100：￥14.753089 +500：￥12.18699 +1000：￥10.690429	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP039N04LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥17.335156 +10：￥15.486072 +100：￥12.073358 +500：￥9.973955 +1000：￥7.87409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.9mOhm @ 80A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 45µA Supplier Device Package： PG-TO220-3-1 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6100 pF @ 25 V

Mouser

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	IPP039N04LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP039N04LGXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥8.612002 +1000：￥7.330857 +2000：￥7.038643 +5000：￥6.791092 +10000：￥6.608618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP039N04LGXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.9 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）