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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.479904 +10：￥3.80787 +30：￥3.135957 +100：￥2.79994 +500：￥2.575969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.5219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥15.284593 +100：￥11.812467 +500：￥9.33043 +1000：￥8.187504 +4000：￥8.021261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥9.566277 +10：￥5.822106 +50：￥5.122609 +100：￥4.495173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥1.225159 +200：￥1.20587 +990：￥1.186582 +2950：￥1.167294 +9830：￥1.128719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7455TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.254143 +1000：￥1.18985 +12000：￥1.157704 +16000：￥1.125557 +20000：￥1.082659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥7.347571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+16：￥10.636807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF 授权代理品牌	IRF7455TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.992548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7455TRPBF 授权代理品牌	IRF7455TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.318303 +30：￥1.263432 +200：￥1.208445 +4000：￥1.18645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

IRF7455TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3480 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥15.284593 +100：￥11.812467 +500：￥9.33043 +1000：￥8.187504 +4000：￥8.021261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥9.566277 +10：￥5.822106 +50：￥5.122609 +100：￥4.495173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥1.225159 +200：￥1.20587 +990：￥1.186582 +2950：￥1.167294 +9830：￥1.128719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7455TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.254143 +1000：￥1.18985 +12000：￥1.157704 +16000：￥1.125557 +20000：￥1.082659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥7.347571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册未分类	+16：￥10.636807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7455TRPBF 授权代理品牌	IRF7455TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.992548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7455TRPBF 授权代理品牌	IRF7455TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.318303 +30：￥1.263432 +200：￥1.208445 +4000：￥1.18645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数