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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX20N150 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥168.443867 +200：￥65.192093 +500：￥62.897366 +1000：￥61.771857	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX20N150 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥226.770222 +10：￥209.157547 +100：￥178.604761 +500：￥162.154495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX20N150 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥391.858186 +10：￥361.423543 +100：￥308.628431 +500：￥280.202426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX20N150 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+1：￥400.011054 +10：￥368.880717 +30：￥352.351334 +120：￥314.884735 +510：￥283.341163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTX20N150 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 下载数据手册未分类	+30：￥224.50721 +50：￥223.066381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTX20N150参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	215 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PLUS247™-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）