IPP80P03P4L04AKSA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IPP80P03P4L04AKSA1 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80P03P4L04AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.636328	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 253µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 137W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80P03P4L04AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.808145 +10：￥17.782943 +100：￥14.569806 +500：￥12.403229 +1000：￥10.460587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 253µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 137W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80P03P4L04AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.455971 +10：￥43.50179 +100：￥35.641607 +500：￥30.341583 +1000：￥25.589368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 253µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 137W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80P03P4L04AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥50.073811 +10：￥45.024351 +100：￥36.889109 +500：￥31.278599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 253µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 137W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80P03P4L04AKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥19.929133 +1000：￥19.082455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP80P03P4L04AKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥39.601464 +10：￥35.367423 +100：￥29.299053 +500：￥24.248358 +1000：￥21.145071	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP80P03P4L04AKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.4毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 253µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	160 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	137W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）