IPA65R400CEXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥14.716625 +100：￥9.95225 +200：￥7.305375 +500：￥5.29375 +1000：￥5.029123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册未分类	+1：￥7.667124 +10：￥6.627336 +30：￥6.060179 +100：￥5.408999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.47054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册未分类	+500：￥5.431412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPA65R400CEXKSA1 授权代理品牌	IPA65R400CEXKSA1 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥5.959454 +1000：￥5.634392 +1500：￥5.318361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.737493 +50：￥5.392796 +500：￥4.902542 +10000：￥4.874527 +15000：￥4.832505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.7902 +10：￥8.78472 +100：￥7.060586 +500：￥5.80109 +1000：￥4.834242	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.949424 +10：￥21.489753 +100：￥17.272065 +500：￥14.191004 +1000：￥11.825837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册未分类	+1：￥24.299178 +50：￥19.464106 +100：￥15.426109 +500：￥13.074815 +1000：￥10.650933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 400mOhm @ 3.2A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 320µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 710 pF @ 100 V

Mouser

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	IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册未分类	+1：￥25.640758 +10：￥18.454812 +100：￥15.025157 +500：￥14.07792 +1000：￥10.566607	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPA65R400CEXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400毫欧 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	710 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	31W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册未分类	+500：￥5.431412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPA65R400CEXKSA1 授权代理品牌	IPA65R400CEXKSA1 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥5.959454 +1000：￥5.634392 +1500：￥5.318361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IPA65R400CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.737493 +50：￥5.392796 +500：￥4.902542 +10000：￥4.874527 +15000：￥4.832505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 320µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）