 | IRF7832TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.32V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 155°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 温度： -55°C # 155°C（TJ） |
| IRF7832TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.32V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 155°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 温度： -55°C # 155°C（TJ） |
| IRF7832TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.32V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 155°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 温度： -55°C # 155°C（TJ） |
| IRF7832TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.32V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 155°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 温度： -55°C # 155°C（TJ） |
| IRF7832TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.32V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 155°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 温度： -55°C # 155°C（TJ） |
| IRF7832TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.32V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 155°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 温度： -55°C # 155°C（TJ） |
