IRLMS6702TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.288845 +100：￥2.90037 +800：￥2.128995 +3000：￥1.54275 +6000：￥1.465673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册	+1：￥1.636014 +10：￥1.389249 +30：￥1.283477 +100：￥1.177705 +500：￥1.107261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.940412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.423551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.482382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.208901 +10：￥7.83465 +100：￥5.849777 +500：￥4.5968 +1000：￥3.552084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： Micro6™(TSOP-6)
IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.313041 +10：￥1.764503 +30：￥1.663778 +100：￥1.563053 +500：￥1.518305	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： Micro6™(TSOP-6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS6702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 下载数据手册未分类	+1：￥8.976817 +10：￥7.630294 +100：￥5.792853 +250：￥5.708695 +500：￥4.558541	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS6702TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.4A 6-Pin TSOP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.29405 +10：￥6.933363 +25：￥6.750605 +100：￥4.770256 +250：￥4.723139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLMS6702TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	210 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.7W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）