IRL520PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.394933 +100：￥7.705885 +500：￥5.656508 +1000：￥4.098875 +2000：￥3.893901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥9.036852 +10：￥7.812998 +50：￥7.135507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL520PBF 授权代理品牌	IRL520PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.825763 +20：￥2.755148 +50：￥2.708843 +200：￥2.638228 +1000：￥2.567612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.875729 +100：￥3.08808 +1000：￥2.863038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.340528 +10：￥7.441407 +100：￥5.799921 +500：￥4.791368 +1000：￥3.782696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.403141 +10：￥18.203654 +100：￥14.188142 +500：￥11.720954 +1000：￥9.253476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL520PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥20.416074 +10：￥17.312831 +100：￥14.634242 +500：￥12.396641 +1000：￥10.093709	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL520PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥13.790353 +10：￥12.673412 +100：￥11.091999 +500：￥9.861311 +1000：￥8.891294	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL520PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	270 毫欧 5.5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	490 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）