IPN50R950CEATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.485414 +10：￥4.662614 +30：￥3.839814 +100：￥3.428414 +500：￥3.154107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 1.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 231 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.409308 +10：￥2.808308 +30：￥2.513272 +100：￥2.218236 +500：￥1.934127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 1.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 231 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.13444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 1.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 231 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.307375 +6000：￥1.217225 +15000：￥1.172121 +30000：￥1.142109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 1.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 231 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.198186 +6000：￥2.977655 +15000：￥2.867319 +30000：￥2.793901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 1.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 231 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.264755 +10：￥7.272984 +100：￥5.580087 +500：￥4.411175 +1000：￥3.529051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.264755 +10：￥7.272984 +100：￥5.580087 +500：￥4.411175 +1000：￥3.529051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN50R950CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥9.773601 +10：￥8.600769 +100：￥6.613471 +500：￥5.228878 +1000：￥4.186359	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 950 毫欧 1.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 231 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN50R950CEATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	950 毫欧 1.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	231 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）