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	IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.858904 +10：￥2.745512 +100：￥2.473371 +500：￥2.3373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.115228 +10：￥5.487955 +20：￥4.028453 +50：￥2.919125 +100：￥2.773199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.26095	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册未分类	+300：￥2.451687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥2.846089 +500：￥2.612736 +1000：￥2.443572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFZ48NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFZ48NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.97834 +1000：￥1.849647 +3000：￥1.801375 +5000：￥1.753102 +14000：￥1.688808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFZ48NPBF 授权代理品牌	IRFZ48NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.907651 +50：￥1.859724 +250：￥1.812841 +500：￥1.780543 +1000：￥1.732618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.223204 +10：￥5.00094 +30：￥4.778676 +100：￥4.334148 +300：￥4.000752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.944281 +50：￥5.215732 +100：￥4.659137 +500：￥3.682657 +1000：￥3.368525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFZ48NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	81 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1970 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	130W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册未分类	+300：￥2.451687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥2.846089 +500：￥2.612736 +1000：￥2.443572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFZ48NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFZ48NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.97834 +1000：￥1.849647 +3000：￥1.801375 +5000：￥1.753102 +14000：￥1.688808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFZ48NPBF 授权代理品牌	IRFZ48NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.907651 +50：￥1.859724 +250：￥1.812841 +500：￥1.780543 +1000：￥1.732618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.223204 +10：￥5.00094 +30：￥4.778676 +100：￥4.334148 +300：￥4.000752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1970 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）