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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.8088 +10：￥7.48748 +50：￥6.16616 +100：￥5.5055 +500：￥5.06506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.965011 +10：￥4.264817 +30：￥3.91472 +100：￥3.649495 +500：￥3.405488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.129311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.468831 +50：￥6.79025 +100：￥5.381504 +500：￥4.561254 +1000：￥3.715656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.717003 +50：￥16.610752 +100：￥13.164583 +500：￥11.158035 +1000：￥9.089478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRFZ44VPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥21.396046 +10：￥17.966145 +100：￥15.058898 +500：￥12.755964 +1000：￥10.387699	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1812 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRFZ44VPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.774045 +10：￥10.71332 +100：￥9.560563 +500：￥8.648026 +1000：￥7.857163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFZ44VPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.090812 +10：￥10.14552 +100：￥9.105075 +500：￥8.273654 +1000：￥7.546745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IRFZ44VPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+31：￥10.156492 +50：￥9.224253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFZ44VPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16.5 毫欧 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	67 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1812 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	115W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）