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自营 现货库存
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IXTT110N10L2_未分类
IXTT110N10L2
授权代理品牌
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¥340.42817

+200:

¥131.739167

+500:

¥127.116932

+1000:

¥124.822205

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IXTT110N10L2_未分类
IXTT110N10L2
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-268

未分类

+10:

¥145.94406

+100:

¥123.251738

+500:

¥109.646756

+1000:

¥103.110822

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IXTT110N10L2_未分类
IXTT110N10L2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

未分类

+30:

¥183.050888

+90:

¥172.054781

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 260 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-268AA

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTT110N10L2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥119.29275

+10:

¥109.655006

+100:

¥92.611124

+500:

¥82.38424

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 260 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-268AA

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTT110N10L2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥291.821675

+10:

¥268.245198

+100:

¥226.551347

+500:

¥201.533679

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 260 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-268AA

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTT110N10L2_未分类
IXTT110N10L2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

未分类

+1:

¥343.257446

+10:

¥302.591067

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 260 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-268AA

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTT110N10L2_未分类
IXTT110N10L2
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-268

未分类

+1:

¥186.398258

+10:

¥179.048367

+25:

¥167.049827

+50:

¥165.378827

+100:

¥161.11966

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTT110N10L2参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Linear L2™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 260 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)