IXTT110N10L2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT110N10L2 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥340.42817 +200：￥131.739167 +500：￥127.116932 +1000：￥124.822205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT110N10L2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-268 下载数据手册未分类	+10：￥145.94406 +100：￥123.251738 +500：￥109.646756 +1000：￥103.110822	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXTT110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO268 下载数据手册未分类	+30：￥183.050888 +90：￥172.054781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268AA 封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO268 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.29275 +10：￥109.655006 +100：￥92.611124 +500：￥82.38424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268AA 封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO268 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥291.821675 +10：￥268.245198 +100：￥226.551347 +500：￥201.533679	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268AA 封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO268 下载数据手册未分类	+1：￥343.257446 +10：￥302.591067	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268AA 封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT110N10L2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-268 下载数据手册未分类	+1：￥186.398258 +10：￥179.048367 +25：￥167.049827 +50：￥165.378827 +100：￥161.11966	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTT110N10L2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear L2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	260 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-268AA
封装/外壳:	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）