IPW65R041CFDFKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥107.33184 +200：￥89.4432 +500：￥71.55456 +1000：￥59.6288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥105.848327 +200：￥40.961349 +500：￥39.52245 +1000：￥38.818755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥98.485875 +10：￥90.501584 +100：￥76.432252 +500：￥67.991985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥240.922546 +10：￥221.390854 +100：￥186.973541 +500：￥166.326411	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+240：￥160.097501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 41mOhm @ 33.1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package： PG-TO247-3-1 Part Status： Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8400 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-1 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW65R041CFDFKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥110.512205 +250：￥110.424258 +500：￥104.104609	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPW65R041CFDFKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥106.177654	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R041CFDFKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	68.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	41 毫欧 33.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	300 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8400 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-1
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）