IPP50R380CEXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP50R380CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.971386 +10：￥11.875666 +30：￥9.779946 +100：￥8.732086 +500：￥8.033553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 3.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 260µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 584 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP50R380CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.7432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 3.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 260µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 584 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP50R380CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥17.80752 +10：￥15.963422 +100：￥12.148418 +500：￥9.683699 +1000：￥8.499211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 3.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 260µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 584 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPP50R380CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.661672 +10：￥4.298094 +50：￥3.962142 +100：￥3.636135 +200：￥3.527429	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 3.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 260µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 584 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP50R380CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.583558 +10：￥18.3828 +100：￥14.334701 +500：￥11.841891 +1000：￥9.34882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 3.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 260µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 584 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPP50R380CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥21.555863 +10：￥19.509419 +100：￥15.007246 +500：￥12.469657 +1000：￥10.941646	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380 毫欧 3.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 260µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 584 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP50R380CEXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 550V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥8.56988 +1000：￥7.77931	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP50R380CEXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	380 毫欧 3.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	584 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	73W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）