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自营现货库存

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	IXFX64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+1：￥66.492438 +10：￥58.821494 +30：￥54.144623 +90：￥50.23266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFX64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+30：￥140.772581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFX64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+5：￥110.078189 +25：￥108.094791 +75：￥106.111392 +200：￥105.119693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFX64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥104.127019 +30：￥68.204761 +120：￥65.529666	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFX64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥254.722278 +30：￥166.846917 +120：￥160.302928	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFX64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+1：￥271.296134 +10：￥246.919281 +30：￥206.125363 +1020：￥173.622892	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IXFX64N50P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 下载数据手册未分类	+30：￥161.85079 +3000：￥160.225628 +6000：￥158.63142 +9000：￥158.368299	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX64N50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	N-Channel 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247 下载数据手册未分类	+1：￥106.552787 +5：￥105.127014 +25：￥103.891346 +75：￥102.940829 +200：￥101.420003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFX64N50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	N-Channel 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247 下载数据手册未分类	+1：￥132.872899 +5：￥131.15841 +25：￥129.539171 +75：￥128.396178 +200：￥126.586439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFX64N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	85 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	150 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PLUS247™-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）