IXFT140N20X3HV厂家价格_数据手册

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	IXFT140N20X3HV Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥171.776684 +210：￥68.546765 +510：￥66.252038 +990：￥65.126529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IXFT140N20X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥107.530222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 127 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFT140N20X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥160.321519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 127 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFT140N20X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥170.693498 +10：￥156.917828 +100：￥132.523798 +500：￥117.88946 +1000：￥108.13312	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 127 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFT140N20X3HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV 下载数据手册未分类	+1：￥224.595726 +10：￥197.884483 +30：￥192.510624 +60：￥181.762903 +120：￥174.650441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 127 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFT140N20X3HV参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.6 毫欧 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	127 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	520W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-268HV（IXFT）
封装/外壳:	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）