IRLMS2002TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥5.701641 +100：￥3.855786 +800：￥2.830311 +3000：￥2.05095 +6000：￥1.948463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.89728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLMS2002TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLMS2002TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.843614 +1000：￥0.702696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册未分类	+3000：￥4.415291 +6000：￥4.228602 +9000：￥4.099897 +12000：￥4.025936 +15000：￥3.884049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册未分类	+5：￥7.551019 +50：￥3.682278 +100：￥3.368001 +200：￥3.358169 +500：￥2.729727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS2002TRPBF 授权代理品牌	IRLMS2002TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.616783 +6000：￥0.585064 +9000：￥0.554271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLMS2002TRPBF 授权代理品牌	IRLMS2002TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.22523 +100：￥1.194669 +3000：￥1.123128 +9000：￥1.072076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.293863 +100：￥3.438146 +750：￥3.071411 +1500：￥2.903324 +3000：￥2.765798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥3.61179 +1000：￥3.551594 +3000：￥3.491397 +5000：￥3.431201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.537141 +6000：￥1.416754 +9000：￥1.355403 +15000：￥1.292238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLMS2002TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1310 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro6™（SOT23-6）
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLMS2002TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLMS2002TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.843614 +1000：￥0.702696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册未分类	+3000：￥4.415291 +6000：￥4.228602 +9000：￥4.099897 +12000：￥4.025936 +15000：￥3.884049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册未分类	+5：￥7.551019 +50：￥3.682278 +100：￥3.368001 +200：￥3.358169 +500：￥2.729727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS2002TRPBF 授权代理品牌	IRLMS2002TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.616783 +6000：￥0.585064 +9000：￥0.554271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLMS2002TRPBF 授权代理品牌	IRLMS2002TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.22523 +100：￥1.194669 +3000：￥1.123128 +9000：￥1.072076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.293863 +100：￥3.438146 +750：￥3.071411 +1500：￥2.903324 +3000：￥2.765798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLMS2002TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥3.61179 +1000：￥3.551594 +3000：￥3.491397 +5000：￥3.431201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（SOT23-6）封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）