IRF630厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF630 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 ST(先科) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=9A Pd=75W TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.123891 +30：￥4.943467 +100：￥4.582629 +500：￥4.221793 +1000：￥4.04138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 CJT(长江连接器) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRF630 TO-220-3L 下载数据手册	+1：￥7.339134 +10：￥5.488923 +20：￥4.255449 +50：￥3.083685 +100：￥2.929531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF630 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥14.039025 +100：￥10.499775 +500：￥8.140275 +1000：￥5.89875 +2000：￥5.603873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.955362 +10：￥4.873562 +50：￥4.272563 +100：￥3.605999 +500：￥2.655327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.991129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 STMicroelectronics(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥4.385471 +1000：￥4.185088 +2500：￥3.987527 +6250：￥3.740148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	IRF630 HARRIS(哈利斯) 授权代理品牌	IRF630 HARRIS CORPORATION 下载数据手册未分类	+300：￥6.633363 +500：￥6.602808 +1000：￥6.572253 +5000：￥6.480469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.6801 +50：￥7.785838 +100：￥6.169957 +500：￥5.229911 +1000：￥4.260383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.680089 +50：￥19.046221 +100：￥15.093349 +500：￥12.793749 +1000：￥10.422026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： MESH OVERLAY™ II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	IRF630 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+353：￥13.155606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220AB

IRF630参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	MESH OVERLAY™ II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-65°C # 150°C（TJ）