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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.595473 +10：￥63.367239 +30：￥50.505842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8245 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.980753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8245 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥87.679124 +30：￥70.985507 +120：￥66.810492 +510：￥60.546813 +1020：￥55.536033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8245 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥219.076458 +30：￥139.972264 +120：￥127.291072 +510：￥126.420121	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8245 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247 下载数据手册	+1：￥232.823822 +10：￥221.713283 +30：￥148.748552 +120：￥137.969672 +510：￥136.974699	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8245 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥122.784959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2 下载数据手册未分类	+30：￥102.440504 +120：￥95.057408 +510：￥93.21163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 80A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥201.69846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥178.122003 +10：￥107.656157 +50：￥97.184148 +100：￥96.303326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 80A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥145.141117 +5：￥134.788591 +10：￥124.423206 +50：￥117.491514 +100：￥110.649846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH80N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	143 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8245 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	890W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）