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自营 现货库存
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IXTK180N15P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥126.439441

+10:

¥121.609588

+30:

¥113.250226

+100:

¥105.95081

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IXTK180N15P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥661.667119

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¥558.813581

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¥497.104469

+1000:

¥467.495955

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IXTK180N15P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥143.905084

+500:

¥142.65029

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXTK180N15P_晶体管
IXTK180N15P
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MOSFET N-CH 150V 180A TO-264

晶体管

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¥251.396662

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¥249.738373

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¥164.502301

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¥163.507328

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¥154.552566

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IXTK180N15P_未分类
IXTK180N15P
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

未分类

+25:

¥190.70131

+50:

¥184.247089

+100:

¥174.093688

+250:

¥169.326543

+500:

¥157.099123

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTK180N15P_未分类
IXTK180N15P
授权代理品牌

MOSFETs 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds

未分类

+25:

¥100.495827

+50:

¥98.551407

+100:

¥95.378931

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTK180N15P参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Polar
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 800W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264(IXTK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)