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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.490798 +10：￥5.398496 +30：￥4.852344 +100：￥4.316696 +500：￥3.697024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.644036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL530NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRL530NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.330183 +200：￥2.236879 +500：￥2.180966 +1000：￥2.143691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL530NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRL530NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.207475 +1000：￥2.030937 +3000：￥1.94261 +13000：￥1.854284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL530NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRL530NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.286237 +150：￥1.263896 +250：￥1.230439 +20700：￥1.17441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥5.197676 +1000：￥4.936185 +2500：￥4.731754 +6250：￥4.424984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRL530NPBF 授权代理品牌	IRL530NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.653161 +100：￥2.541797 +500：￥2.431939 +1000：￥2.320576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL530NPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥5.421329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL530NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Last Time Buy
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100mOhm 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	79W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)