IPW60R037P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥109.114291 +10：￥72.742901 +30：￥60.619064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥77.015399 +10：￥67.694438 +30：￥62.00133 +100：￥57.247968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥115.173727 +10：￥85.740431 +50：￥80.227909 +100：￥71.072995 +200：￥66.347898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+30：￥118.506199 +60：￥111.321297 +120：￥107.982009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥136.211045 +10：￥126.087941 +100：￥104.338278 +480：￥90.8074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥123.214985 +10：￥106.78244 +100：￥87.072503 +240：￥86.988598 +480：￥81.471608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.79886 +10：￥63.979754 +100：￥52.96931 +500：￥46.125014 +1000：￥40.173416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥173.192772 +10：￥156.51143 +100：￥129.576967 +500：￥112.834006 +1000：￥98.274819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥153.155149 +10：￥131.248881 +100：￥109.371649 +500：￥96.504585 +1000：￥86.854214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 37mOhm @ 29.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 1.48mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5243 pF @ 400 V

Mouser

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	IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥194.494864 +10：￥166.781005 +100：￥139.067147 +240：￥134.25456 +480：￥122.472022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPW60R037P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	37 毫欧 29.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1.48mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	121 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5243 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	255W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥115.173727 +10：￥85.740431 +50：￥80.227909 +100：￥71.072995 +200：￥66.347898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+30：￥118.506199 +60：￥111.321297 +120：￥107.982009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥136.211045 +10：￥126.087941 +100：￥104.338278 +480：￥90.8074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPW60R037P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥123.214985 +10：￥106.78244 +100：￥87.072503 +240：￥86.988598 +480：￥81.471608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 29.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.48mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 121 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5243 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）