搜索 IRFR13N20DTRPBF 共 12 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFR13N20DTRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥9.561744 +100: ¥7.788816 +200: ¥6.247008 +300: ¥5.577696 +500: ¥5.177232 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFR13N20DTRPBF 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | +1: ¥6.732365 +10: ¥5.650566 +30: ¥5.0519 +100: ¥4.390216 +500: ¥4.085632 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFR13N20DTRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥5.522066 +100: ¥5.475267 +1000: ¥5.381673 +3000: ¥5.288079 | ||||
IRFR13N20DTRPBF 授权代理品牌 | +2000: ¥5.180888 | ||||
IRFR13N20DTRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥7.503988 +300: ¥7.191373 +2500: ¥6.878655 +5000: ¥6.753546 +7500: ¥6.253322 | 暂无参数 |
Digi-Key
IRFR13N20DTRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 235 毫欧 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 38 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 830 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |