IXFH50N20厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH50N20 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥50.309151 +200：￥19.472395 +500：￥18.794904 +1000：￥18.456159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH50N20 授权代理品牌	IXFH50N20 下载数据手册未分类	+1：￥118.868602 +25：￥114.296832 +50：￥109.900627 +100：￥107.702611 +200：￥105.548659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-247AD FET类型： N-Channel 工作温度： -55°C~150°CTJ 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： 200V 连续漏极电流Id： 50A Rds OnMax@Id,Vgs： 45mΩ@25A,10V Pd-功率耗散Max： 300WTc

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH50N20 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.097643 +10：￥54.295306 +100：￥44.949898 +500：￥39.141842 +1000：￥34.091285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH50N20 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥147.014758 +10：￥132.820705 +100：￥109.95936 +500：￥95.751316 +1000：￥83.396318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH50N20 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD 下载数据手册晶体管	+300：￥114.659543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH50N20 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+1：￥111.710565 +10：￥105.161117 +25：￥104.571941 +50：￥103.969063 +100：￥87.814671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH50N20参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	220 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）