IPP055N03LGXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP055N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.459641 +200：￥4.549721 +500：￥3.63968 +1000：￥3.033107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP055N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.583835 +200：￥2.163599 +500：￥2.087109 +1000：￥2.054327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP055N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.318015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP055N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.97623 +10：￥17.879433 +100：￥13.939442 +500：￥11.515659 +1000：￥10.101457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP055N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 下载数据手册未分类	+500：￥9.157202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.5mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 250µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3200 pF @ 15 V

Mouser

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	IPP055N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥20.742732 +10：￥16.496188 +100：￥12.870294 +500：￥10.681692 +1000：￥8.019434	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP055N03LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+16：￥4.347732 +100：￥4.151941 +250：￥3.985902 +500：￥3.841936	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP055N03LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+87：￥3.479146 +100：￥3.359175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP055N03LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.959274 +10：￥2.834369 +50：￥2.747896 +100：￥2.661424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP055N03LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+5：￥9.608026 +10：￥8.013096 +25：￥7.378966 +100：￥5.726386 +250：￥5.61109	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP055N03LGXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.5 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3200 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	68W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）