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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.35935 +300：￥6.99985 +1000：￥5.42685 +4000：￥3.9325 +8000：￥3.735875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.617914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥14.165626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5300TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.944136 +500：￥3.875522 +5000：￥3.772652 +10000：￥3.704038 +20000：￥3.429683	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5300TRPBF 授权代理品牌	IRFH5300TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.081323 +5：￥3.979336 +10：￥3.877233 +30：￥3.775247 +50：￥3.707178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.472875 +8000：￥3.443935 +12000：￥3.386054 +20000：￥3.328172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.084101 +8000：￥4.011171 +12000：￥3.93824 +20000：￥3.901775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥5.46399 +1000：￥5.37138 +3000：￥5.232465 +5000：￥5.09355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF 授权代理品牌	IRFH5300TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥4.699958 +20：￥4.618924 +30：￥4.53789 +40：￥4.456856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.722829 +8000：￥3.536696 +12000：￥3.403753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH5300TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	120 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7200 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥14.165626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5300TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.944136 +500：￥3.875522 +5000：￥3.772652 +10000：￥3.704038 +20000：￥3.429683	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5300TRPBF 授权代理品牌	IRFH5300TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.081323 +5：￥3.979336 +10：￥3.877233 +30：￥3.775247 +50：￥3.707178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.472875 +8000：￥3.443935 +12000：￥3.386054 +20000：￥3.328172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.084101 +8000：￥4.011171 +12000：￥3.93824 +20000：￥3.901775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥5.46399 +1000：￥5.37138 +3000：￥5.232465 +5000：￥5.09355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5300TRPBF 授权代理品牌	IRFH5300TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥4.699958 +20：￥4.618924 +30：￥4.53789 +40：￥4.456856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数