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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF8707TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF8707TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥3.494304

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￥2.846448

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￥2.282976

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￥2.038464

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￥1.89216

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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IRF8707TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF8707TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥2.332207

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￥1.873371

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￥1.67679

+500：

￥1.431363

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF8707TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF8707TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥6.757245

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF8707TRPBF_未分类
IRF8707TRPBF
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

IRF8707TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥1.96417

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￥1.780924

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
IRF8707TRPBF_未分类
IRF8707TRPBF
UDU SEMICONDUTOR
授权代理品牌

IRF8707TRPBF UDU SEMICONDUTOR

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未分类
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￥0.928724

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￥0.874515

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

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IRF8707TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF8707TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥1.72162

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￥1.692878

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￥1.678568

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￥1.649947

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF8707TRPBF_未分类
IRF8707TRPBF
授权代理品牌

IRF8707TRPBF BYCHIP/百域芯

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未分类
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￥1.446568

+500：

￥1.33536

+2000：

￥1.224029

+6000：

￥1.112819

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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IRF8707TRPBF_未分类
IRF8707TRPBF
授权代理品牌

IRF8707TRPBF VBSEMI/微碧半导体

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￥1.55802

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￥1.4781

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￥1.438079

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF8707TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF8707TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥1.116648

+2：

￥1.213992

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￥1.116648

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF8707TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF8707TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+4000：

￥1.313005

+8000：

￥1.246223

+12000：

￥1.157227

+28000：

￥1.1305

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF8707TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.9 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 760 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度: -55°C # 150°C（TJ）