搜索 IRFB38N20DPBF 共 29 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFB38N20DPBF 授权代理品牌 | +10: ¥6.31071 +100: ¥6.205532 +500: ¥6.152942 +1000: ¥6.047764 +3000: ¥5.942585 | ||||
IRFB38N20DPBF | +1000: ¥6.205532 +3000: ¥6.100353 +5000: ¥5.995175 +10000: ¥5.942585 | 暂无参数 | |||
IRFB38N20DPBF 授权代理品牌 | +1: ¥5.389439 +100: ¥5.246357 +500: ¥5.198662 +1000: ¥5.150968 | ||||
IRFB38N20DPBF 授权代理品牌 | +100: ¥5.73719 +200: ¥5.64157 +300: ¥5.49814 +500: ¥5.40252 | ||||
IRFB38N20DPBF 授权代理品牌 | +1000: ¥6.146989 +2000: ¥5.99071 +3000: ¥5.886524 +5000: ¥5.83443 |
自营 国内现货
IRFB38N20DPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 43A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 54 毫欧 26A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 91 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2900 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.8W(Ta),300W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |