ISP12DP06NMXTSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.887125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.758638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.302094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1000：￥7.24891 +2000：￥6.765736 +5000：￥6.427398 +10000：￥6.18581	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 2.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 520µA Supplier Device Package： PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 790 pF @ 30 V
ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥15.982163 +10：￥14.255519 +100：￥11.114739 +500：￥9.182038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 2.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 520µA Supplier Device Package： PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 790 pF @ 30 V
ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥15.982163 +10：￥14.255519 +100：￥11.114739 +500：￥9.182038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 2.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 520µA Supplier Device Package： PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 790 pF @ 30 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥14.427117 +10：￥11.45878 +100：￥7.943207 +500：￥6.848736 +1000：￥5.687933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 520µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ISP12DP06NMXTSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥5.425598	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ISP12DP06NMXTSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥3.445492 +2000：￥3.2041 +10000：￥3.079632 +25000：￥3.068317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ISP12DP06NMXTSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 520µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	790 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）