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	IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.580704 +5：￥18.60738 +15：￥25.151423 +25：￥18.225625 +50：￥17.314374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.361912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册未分类	+400：￥52.094616 +800：￥51.64551 +1200：￥51.196405 +1600：￥51.196405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 授权代理品牌	IRF200P222 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥36.1179 +400：￥31.417943 +800：￥30.619181 +1200：￥30.086674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF200P222 授权代理品牌	IRF200P222 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥39.557435 +100：￥37.277377 +200：￥34.414918 +400：￥31.591008 +800：￥31.316304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥34.72875 +1200：￥34.149938 +2000：￥33.281719 +4000：￥32.702906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥72.2358 +50：￥69.225975 +100：￥66.21615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.822576 +10：￥27.731601 +30：￥24.47937 +100：￥22.765969 +300：￥21.894509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥33.156232 +100：￥31.245109 +200：￥28.845815 +400：￥26.478936 +800：￥26.248684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.03477 +10：￥54.231039 +100：￥44.898462 +500：￥39.09695 +1000：￥34.052199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF200P222参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	182A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.6 毫欧 82A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	203 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9820 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	556W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册未分类	+400：￥52.094616 +800：￥51.64551 +1200：￥51.196405 +1600：￥51.196405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 授权代理品牌	IRF200P222 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥36.1179 +400：￥31.417943 +800：￥30.619181 +1200：￥30.086674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF200P222 授权代理品牌	IRF200P222 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥39.557435 +100：￥37.277377 +200：￥34.414918 +400：￥31.591008 +800：￥31.316304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥34.72875 +1200：￥34.149938 +2000：￥33.281719 +4000：￥32.702906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥72.2358 +50：￥69.225975 +100：￥66.21615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.822576 +10：￥27.731601 +30：￥24.47937 +100：￥22.765969 +300：￥21.894509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF200P222 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥33.156232 +100：￥31.245109 +200：￥28.845815 +400：￥26.478936 +800：￥26.248684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 182A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 82A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 203 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9820 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 556W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）