搜索 IRFU1010ZPBF 共 3 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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IRFU1010ZPBF 授权代理品牌 | +1： ￥3.74616 +200： ￥3.1218 +500： ￥2.49744 +1000： ￥2.0812 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +511： ￥6.942097 | 系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 供应商器件封装： IPAK (TO-251) | ||
| 授权代理品牌 | 1+: |
IRFU1010ZPBF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 42A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 95 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2840 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 140W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | IPAK（TO-251AA） |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |