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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH60N50P3 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥114.692626 +210：￥45.763407 +510：￥44.233589 +990：￥43.479607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥108.008416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥87.073039 +60：￥84.460949 +120：￥79.339351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥162.872396 +10：￥157.824342 +25：￥153.073217 +50：￥148.619139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH60N50P3 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFH60N50P3 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥56.705692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXFH60N50P3 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFH60N50P3 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.639794 +10：￥53.89249 +100：￥44.618258 +500：￥38.852861 +1000：￥33.839543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.894738 +10：￥131.835309 +100：￥109.148081 +500：￥95.044393 +1000：￥82.78049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥157.640723 +10：￥142.341103 +30：￥135.784123 +120：￥117.75243 +510：￥102.589413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH60N50P3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+30：￥111.4545 +50：￥110.348874 +100：￥95.284739 +250：￥94.141423 +500：￥83.160561	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH60N50P3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar3™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	96 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1040W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥108.008416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥87.073039 +60：￥84.460949 +120：￥79.339351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH60N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥162.872396 +10：￥157.824342 +25：￥153.073217 +50：￥148.619139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH60N50P3 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFH60N50P3 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥56.705692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXFH60N50P3 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFH60N50P3 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数