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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.123743 +10：￥79.605162 +30：￥73.518673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.659393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.66943 +50：￥31.677337 +100：￥28.34308 +500：￥25.008697 +1000：￥22.507878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.041937 +50：￥77.491159 +100：￥69.334683 +500：￥61.177899 +1000：￥55.060233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥137.457519 +10：￥124.272819 +100：￥102.952877 +500：￥89.487651 +1000：￥84.297927	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP200N25N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥72.983788 +1000：￥65.206724 +2000：￥64.553401 +2500：￥63.912641 +3000：￥63.271881	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP200N25N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 64A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	86 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7100 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）