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	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.7437 +10：￥15.181425 +100：￥13.831965 +500：￥13.157235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.2844 +5：￥28.632835 +15：￥22.198539 +25：￥16.085861 +125：￥14.477287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.291631 +10：￥19.01345 +25：￥16.030305 +75：￥13.932269 +525：￥12.981597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.739978 +10：￥39.51178 +100：￥32.712456 +500：￥28.485829 +1000：￥24.810213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.739978 +10：￥39.51178 +100：￥32.712456 +500：￥28.485829 +1000：￥24.810213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥106.999575 +10：￥96.656283 +100：￥80.023335 +500：￥69.683886 +1000：￥60.692355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4868PBF International 授权代理品牌	IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 42A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10774 pF @ 50 V
IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+70：￥58.438229	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 42A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10774 pF @ 50 V

Mouser

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	IRFP4868PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC 下载数据手册晶体管	+1：￥123.289383 +10：￥111.122667 +100：￥91.980369 +400：￥80.1381 +1200：￥69.269167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10774 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFP4868PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	32 毫欧 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	270 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10774 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	517W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）