IPP110N20N3GXKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPP110N20N3GXKSA1 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥47.830574 +2500：￥43.047565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 88A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.385069 +10：￥85.604233 +30：￥79.058798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 88A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.82299 +10：￥46.82934 +100：￥38.770144 +500：￥33.760514 +1000：￥29.404332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 88A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥126.772765 +10：￥114.556974 +100：￥94.842045 +500：￥82.587163 +1000：￥71.930787	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 88A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥109.997189 +50：￥63.975834 +100：￥59.358705 +500：￥57.801916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11mOhm @ 88A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 270µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7100 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥137.617747 +10：￥128.465022 +25：￥105.41977 +100：￥90.546595 +250：￥90.383152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 88A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 88A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP110N20N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥68.615779 +1000：￥63.29473 +2000：￥62.021683	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP110N20N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥100.1454 +10：￥93.249162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP110N20N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 88A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	87 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7100 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）