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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.577959 +200：￥12.1484 +500：￥9.71872 +1000：￥8.098893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），81A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ ST 封装/外壳： DirectFET™ 等容 ST 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥5.419926 +200：￥2.098036 +500：￥2.021545 +1000：￥1.988763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），81A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ ST 封装/外壳： DirectFET™ 等容 ST 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），81A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ ST 封装/外壳： DirectFET™ 等容 ST 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），81A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ ST 封装/外壳： DirectFET™ 等容 ST 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.938745 +10：￥27.747316 +100：￥22.306557 +500：￥18.326607 +1000：￥15.272172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ST 供应商器件封装： DIRECTFET™ ST
IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.938745 +10：￥27.747316 +100：￥22.306557 +500：￥18.326607 +1000：￥15.272172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ST 供应商器件封装： DIRECTFET™ ST
IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRF6636 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	+1：￥13.936371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric ST Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.5mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.45V @ 250µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ ST Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2420 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），81A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2420 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ ST 封装/外壳： DirectFET™ 等容 ST 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6636TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R 下载数据手册未分类	+4800：￥10.764904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6636TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），81A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.45V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2420 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta），42W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ ST
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 ST
温度:	-40°C # 150°C（TJ）