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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.338876 +10：￥1.290366 +100：￥1.173942 +500：￥1.11573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.751428 +10：￥3.213155 +20：￥2.358653 +50：￥1.709125 +100：￥1.623699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.893352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRF9Z24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9Z24NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.029852 +200：￥2.908649 +500：￥2.83595 +800：￥2.787446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.205782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF9Z24NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9Z24NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.929761 +150：￥1.896074 +250：￥1.845833 +13800：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9Z24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9Z24NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥2.870331 +1000：￥2.640659 +3000：￥2.525938 +10000：￥2.411101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥3.637809 +50：￥2.875914 +100：￥2.747071 +200：￥2.736395 +500：￥2.446681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.817505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.940561 +10：￥4.30892 +100：￥2.983099 +500：￥2.492545 +1000：￥2.121314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF9Z24NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	175 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	45W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9Z24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9Z24NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.029852 +200：￥2.908649 +500：￥2.83595 +800：￥2.787446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.205782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF9Z24NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9Z24NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.929761 +150：￥1.896074 +250：￥1.845833 +13800：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9Z24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9Z24NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥2.870331 +1000：￥2.640659 +3000：￥2.525938 +10000：￥2.411101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥3.637809 +50：￥2.875914 +100：￥2.747071 +200：￥2.736395 +500：￥2.446681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF9Z24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.817505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）