IRFL9110TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL9110TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.226716 +200：￥3.534531 +800：￥2.594482 +2500：￥1.880098 +5000：￥1.786081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL9110TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.272563 +10：￥3.507654 +30：￥3.125199 +100：￥2.753672 +500：￥2.524199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFL9110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 100V 3A 下载数据手册未分类	+1：￥3.715272 +10：￥3.037781 +30：￥2.742745 +100：￥2.382145 +500：￥1.9232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL9110TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.296598 +59：￥5.944004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFL9110TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.250611 +500：￥3.063308 +1000：￥2.828078 +2500：￥2.595974 +5000：￥2.573401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFL9110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.316176 +20：￥2.178766 +100：￥2.139523 +500：￥2.100164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFL9110TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.212737 +2500：￥1.138954 +7500：￥1.107302 +22500：￥1.075539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFL9110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.109057 +2500：￥2.021193 +7500：￥1.933329 +10000：￥1.792748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFL9110TRPBF 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+7：￥2.296497 +30：￥2.159087 +100：￥2.139523 +2500：￥2.100164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL9110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SOT223 FET类型： P-Channel 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： -100V 连续漏极电流Id： -3A Rds OnMax@Id,Vgs： 200mΩ@-10V Pd-功率耗散Max： 6.5W

IRFL9110TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 660mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta），3.1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFL9110TRPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.250611 +500：￥3.063308 +1000：￥2.828078 +2500：￥2.595974 +5000：￥2.573401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFL9110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.316176 +20：￥2.178766 +100：￥2.139523 +500：￥2.100164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFL9110TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.212737 +2500：￥1.138954 +7500：￥1.107302 +22500：￥1.075539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFL9110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.109057 +2500：￥2.021193 +7500：￥1.933329 +10000：￥1.792748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFL9110TRPBF 授权代理品牌	IRFL9110TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+7：￥2.296497 +30：￥2.159087 +100：￥2.139523 +2500：￥2.100164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数