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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.283763 +300：￥3.203838 +1000：￥2.483888 +4000：￥1.799875 +8000：￥1.709851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.786454 +10：￥2.24009 +30：￥2.010618 +100：￥1.715581 +500：￥1.431472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.694484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7205TRPBF International 授权代理品牌	IRF7205TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+1000：￥2.745598 +5000：￥2.707313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7205TRPBF 授权代理品牌	IRF7205TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.183556 +500：￥1.092567 +2000：￥1.001462 +6000：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7205TRPBF 授权代理品牌	IRF7205TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.766811 +1000：￥0.715181 +2000：￥0.665172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.605351 +100：￥2.087082 +1000：￥1.862966 +2000：￥1.778923 +4000：￥1.680872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.967036 +8000：￥1.917027 +20000：￥1.883687 +60000：￥1.583631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7205TRPBF 授权代理品牌	IRF7205TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.531538 +100：￥1.46729 +500：￥1.404778 +1000：￥1.34053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.684732 +8000：￥1.603369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7205TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	870 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7205TRPBF International 授权代理品牌	IRF7205TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+1000：￥2.745598 +5000：￥2.707313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7205TRPBF 授权代理品牌	IRF7205TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.183556 +500：￥1.092567 +2000：￥1.001462 +6000：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7205TRPBF 授权代理品牌	IRF7205TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.766811 +1000：￥0.715181 +2000：￥0.665172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.605351 +100：￥2.087082 +1000：￥1.862966 +2000：￥1.778923 +4000：￥1.680872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7205TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.967036 +8000：￥1.917027 +20000：￥1.883687 +60000：￥1.583631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7205TRPBF 授权代理品牌	IRF7205TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.531538 +100：￥1.46729 +500：￥1.404778 +1000：￥1.34053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数