IPD90N04S403ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.419926 +200：￥2.098036 +500：￥2.021545 +1000：￥1.988763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.227693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.14255 +5000：￥5.915093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥10.614305 +5000：￥10.22126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.206111 +10：￥20.836902 +100：￥16.747279 +500：￥13.759402 +1000：￥11.400641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.206111 +10：￥20.836902 +100：￥16.747279 +500：￥13.759402 +1000：￥11.400641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.2mOhm @ 90A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 53µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-313 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 66.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5260 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD90N04S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥26.367238 +10：￥23.810415 +100：￥19.655578 +500：￥16.779152 +1000：￥14.094488	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD90N04S403ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥8.362862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD90N04S403ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.2 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5260 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）