IPB120P04P4L03ATMA2厂家价格_数据手册

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	IPB120P04P4L03ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.890619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB120P04P4L03ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥25.73094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB120P04P4L03ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.74206 +10：￥41.988822 +100：￥34.406221 +500：￥29.289208	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
IPB120P04P4L03ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.74206 +10：￥41.988822 +100：￥34.406221 +500：￥29.289208	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB120P04P4L03ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥59.252279 +10：￥49.746566 +25：￥48.320709 +100：￥40.240853 +250：￥39.131853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB120P04P4L03ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS®-P2
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	234 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）