IPAN70R600P7SXKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.778519 +200：￥23.9822 +500：￥19.18576 +1000：￥15.988093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.514556 +200：￥11.418997 +500：￥11.025615 +1000：￥10.828925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.97623 +10：￥17.921936 +100：￥13.970611 +500：￥11.541446 +1000：￥10.124124	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPAN70R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥17.157792 +10：￥13.856959 +100：￥10.899284 +500：￥9.216186 +1000：￥7.500406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPAN70R600P7SXKSA1 授权代理品牌	P7 Power Transistor 下载数据手册未分类	+500：￥6.018907 +1000：￥5.183198 +2500：￥4.954926 +5000：￥4.930421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 700V, 150度 C, 24.9W 下载数据手册未分类	+1：￥11.425391 +10：￥9.350376 +100：￥7.275362 +500：￥6.17381 +1000：￥5.033833	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 700V, 150DEG C, 24.9W 下载数据手册未分类	+1：￥11.862162 +10：￥9.705404 +100：￥7.548646 +500：￥6.409684 +1000：￥5.222254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 8.5 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+20：￥6.916459 +100：￥6.832968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 8.5 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥6.915264 +100：￥6.743516 +200：￥6.574155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPAN70R600P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	364 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	24.9W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）